Москва, 24 мар - ИА Neftegaz.RU. Ученые обнаружили еще одно применение графена - материал смогут использовать в качестве основы для сверхчувствительных датчиков дальнего инфракрасного излучения и терагерцовых волн.
Об этом сообщила пресс-служба Московского физико-технического института (МФТИ).
Ученые также опубликовали научную статью в журнале Optics Express.
Один из авторов работы, завлаб МФТИ В. Рыжий отметил, что ученые рассчитали параметры изготовленных на основе графенового монослоя светочувствительных элементов, способных уловить дальний инфракрасный свет.
Преимущества таких сенсоров:
- способны улавливать излучение с энергией меньше запрещенной зоны этих слоев без графена;
- легко модифицируются для увеличения чувствительности к нужной длине волны света;
- могут заменить любые приемники дальнего инфракрасного и терагерцового излучения.
Практическое применение:
- изучение волн космической пыли с целью понимания эволюции галактик;
- сенсоры инфракрасного света - в приборах ночного видения, пультах дистанционного управления, ракетных системах самонаведения и в датчиках сердцебиения;
- терагерцовое излучение - в системах безопасности для сканирования багажа, поскольку безопаснее рентгеновского;
- сенсоры инфракрасного и терагерцового излучения - еще найдут свое применение в других областях.
Выходцы из России К. Новоселов и А. Гейм в 2010 г. получили за открытие графена Нобелевскую премию по физике.
В 2017 г. о графене заговорили в нефтегазе РФ, когда Газпром поведал о намерении сотрудничать с институтами Российской академии наук (РАН) для разработки технологии хранение природного газа с использованием нанонопористого графена в качестве абсорбента.
Так, ученые столкнулись с проблемой при попытке превратить материал в полноценный полупроводник.
Графен практически непригоден для изготовления электронных приборов, солнечных батарей, лазеров и источников света.
Ученые наносят различные примеси на графеновые листы, чтобы решить проблему, однако эта операция сложна с практической точки зрения и часто меняет различные свойства графена в худшую сторону.
Они дерзко рассмотрели межполосные фотоприемники дальнего инфракрасного излучения на основе одного графенового монослоя.
Черный фосфор и мышьяк представляют собой своеобразные аналоги графита, многослойные структуры, состоящие из множества плоских листов, которые образованы из атомов фосфора и мышьяка.
Оказалось, если сложить графен и тонкие листы из черного фосфора и мышьяка, характер взаимодействий первого с частицами света значительно поменяется.
Графен был окружен слоями из смеси черного фосфора и черного мышьяка в различных пропорциях.
Регулируя соотношение этих веществ, удалось сдвигать рабочий диапазон частот фотоприемника.
За счет изменения толщины 2х внешних слоев этого «бутерброда» ученые смогли заставить структуру поглощать свет в очень широком диапазоне частот, в том числе и дальнее инфракрасное и терагерцовое излучение.
Черные фосфор и мышьяк имеют разные диапазоны энергий, недоступных для электронов.
Переход электрона (или дырки) из одной разрешенной зоны графена в другую с последующим выходом в зону проводимости черного фосфора или мышьяка регистрируется в подобном фотоприемнике.
Такие датчики имеют ряд преимуществ перед уже существующими:
- крайне низкий уровень помех и ложных срабатываний,
- рабочий диапазон легко изменить при необходимости, при этом избежав потери качества приема сигнала.
- сенсоры смогут использовать в инфракрасных телескопах, сигнал должен стать более чистым,
- из-за температурных эффектов в сенсорах инфракрасного и терагерцового диапазона регистрируется сигнал даже «в темноте», то есть без воздействия электромагнитных волн,
- в рассмотренных слоистых структурах такой темновой ток гораздо меньше, чем в используемых сегодня.
Говоря простым языком студентов - физтехов, разрабатывается модель устройств для дальних инфракрасных фотодетекторов (IP) с чувствительными элементами графенового слоя (GL) и барьерными слоями черного фосфора (b-P) или черного мышьяка (b-As) (BL).
Эти дальние инфракрасные IP-адреса на основе GL / BL (GBIP) могут работать при энергиях фотонов ℏΩ, меньших ширины запрещенной зоны, ΔG, bP или b-As или их соединений, а именно при ℏΩ≲2Δ
Автор: А. Шевченко, О. Бахтина