Япония вложит 2,4 млрд долл. США в создание совместного с США центра по разработке полупроводников нового поколения

Токио, 8 ноя - ИА Neftegaz.RU. Правительство Японии планирует выделить порядка 350 млрд иен (около 2,38 млрд долл. США) на создание совместного с США научно-исследовательского центра для разработки 2-нанометровых полупроводников следующего поколения.
Об этом сообщила газета Nikkei 5 ноября 2022 г.

Договоренность о его создании была достигнута в конце июля 2022 г., когда прошли переговоры глав внешнеполитических и экономических ведомств Японии и США в формате 2+2.

Научно-исследовательский центр создадут к концу 2022 г.
В проекте примут участие Токийский университет, японский Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, Институт естественных наук Рикэн.

В проекте также будут задействованы несколько компаний, однако их назовут позднее.
В качестве одного из кандидатов рассматривается американская IBM.

Власти Японии планируют выделить 450 млрд иен (около 3,07 млрд долл. США) в качестве субсидий компаниям, создающим производства полупроводников.
Еще 370 млрд иен (около 2,52 млрд долл. США) направят на укрепление цепочек поставок материалов, необходимых для производства чипов, в т.ч. кремниевых полупроводниковых пластин и карбида кремния.

Соответствующие расходы включат во 2^й дополнительный бюджет на этот финансовый год. Инвестиции в технологическую сферу ранее анонсировал премьер-министр Японии Ф. Кисида.

Напомним, что в ноябре 2022 г. официальный представитель МИД Китая Ч. Лицзянь обвинил власти США в злоупотреблении мерами экспортного контроля в отношении КНР, пытаясь сдержать развитие китайских компаний.

Заявление было сделано в ответ на призыв властей США к Японии и другим странам присоединиться к принятым Штатами мерам, ограничивающим поставки передовых полупроводников в Китай.