USD 94.87

0

EUR 104.7424

0

Brent 79.36

+1.22

Природный газ 2.766

-0.07

2 мин
...

Физики СПбГУ первыми в России запатентовали устройство получения силицена - перспективного для микроэлектроники наноматериала

Сицилен - кремниевый аналог графена - материал, имеющий такую же кристаллическую структуру, но состоящий из атомов кремния, а не углерода.

Физики СПбГУ первыми в России запатентовали устройство получения силицена - перспективного для микроэлектроники наноматериала

Описание: Монослой силицена

Источник: Фото А. Комолова

Санкт-Петербург, 14 июн - ИА Neftegaz.RU. Ученые Санкт-Петербургского университета (СПбГУ) первыми разработали и запатентовали устройство для получения силицена с улучшенной кристаллической структурой.
Об этом сообщила пресс-служба университета.

Первая такая разработка в России может быть перспективной для посткремниевой микроэлектроники будущего.
Разработанное учеными СПбГУ устройство для получения силицена зарегистрировано в Федеральной службе по интеллектуальной собственности как полезная модель.

В последние годы широко изучаются материалы, которые могли бы заменить дорогостоящий кристаллический кремний в устройствах микроэлектроники.
Такие материалы призваны:
  • повысить быстродействие;
  • снизить электропотребление различных электронных устройств - от мобильных телефонов до компьютеров.
Одним из материалов, подходящих для этих целей, является графен - монослой атомов углерода, расположенных в узлах 6-угольных ячеек.
Кремниевым аналогом графена является силицен - материал, имеющий такую же кристаллическую структуру, но состоящий из атомов кремния, а не углерода.
В силицене атомы уложены в 1 слой 6-угольников, напоминающий пчелиные соты.

Сотрудники ресурсного центра «Физические методы исследования поверхности» Научного парка СПбГУ совместно с сотрудниками кафедры электроники твердого тела СПбГУ разработали технологию получения монослойного силицена и запатентовали ее.

Тезисы одного из авторов работы, профессора кафедры электроники твердого тела СПбГУ А. Комолова:
  • особенность технологии заключается в формировании однослойного силицена;
  • от аналогов наша разработка отличается увеличенным размером нанокристаллических доменов, достигающим 100 нм на 100 нм.
Синтез силицена проводился методом молекулярно-лучевой эпитаксии - процесс основан на термической сублимации (распылении) исходного материала.

Атомный или молекулярный пучок распыленного материала направляется на поверхность подложки, где частицы материала откладываются и образуют тонкий слой пленки.
Сам процесс происходит в вакууме, чтобы обеспечить более чистые и беспрепятственные условия формирования пленки.

Ученые СПбГУ наносили атомарный поток кремния на нагретую до 200 °С подложку вольфрама с предварительно нанесенным методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоем серебра.
Так, за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой подложки физикам удалось получить однослойный силицен, а крупные кристаллические домены силицена удалось сформировать за счет структурных параметров слоя серебра.

Работа по синтезу силицена проводилась с использованием ресурсов Научного парка СПбГУ на оборудовании ресурсного центра «Физические методы исследования поверхности».

Новости СМИ2




Подписывайтесь на канал Neftegaz.RU в Telegram