Об этом сообщила пресс-служба университета.
Первая такая разработка в России может быть перспективной для посткремниевой микроэлектроники будущего.
Разработанное учеными СПбГУ устройство для получения силицена зарегистрировано в Федеральной службе по интеллектуальной собственности как полезная модель.
В последние годы широко изучаются материалы, которые могли бы заменить дорогостоящий кристаллический кремний в устройствах микроэлектроники.
Такие материалы призваны:
- повысить быстродействие;
- снизить электропотребление различных электронных устройств - от мобильных телефонов до компьютеров.
Кремниевым аналогом графена является силицен - материал, имеющий такую же кристаллическую структуру, но состоящий из атомов кремния, а не углерода.
В силицене атомы уложены в 1 слой 6-угольников, напоминающий пчелиные соты.
Сотрудники ресурсного центра «Физические методы исследования поверхности» Научного парка СПбГУ совместно с сотрудниками кафедры электроники твердого тела СПбГУ разработали технологию получения монослойного силицена и запатентовали ее.
Тезисы одного из авторов работы, профессора кафедры электроники твердого тела СПбГУ А. Комолова:
- особенность технологии заключается в формировании однослойного силицена;
- от аналогов наша разработка отличается увеличенным размером нанокристаллических доменов, достигающим 100 нм на 100 нм.
Атомный или молекулярный пучок распыленного материала направляется на поверхность подложки, где частицы материала откладываются и образуют тонкий слой пленки.
Сам процесс происходит в вакууме, чтобы обеспечить более чистые и беспрепятственные условия формирования пленки.
Ученые СПбГУ наносили атомарный поток кремния на нагретую до 200 °С подложку вольфрама с предварительно нанесенным методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоем серебра.
Так, за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой подложки физикам удалось получить однослойный силицен, а крупные кристаллические домены силицена удалось сформировать за счет структурных параметров слоя серебра.
Работа по синтезу силицена проводилась с использованием ресурсов Научного парка СПбГУ на оборудовании ресурсного центра «Физические методы исследования поверхности».
