В 2026 г. в Новосибирске создадут уникальный литограф для выпуска процессоров топ-уровня

Новосибирск, 24 фев - ИА Neftegaz.RU. На базе синхротрона СКИФ под Новосибирском планируется создать уникальную установку для преодоления технологического порога оптической литографии.
Об этом сообщили в пресс-службе Новосибирского государственного университета (НГУ).

Сибирский кольцевой источник фотонов (СКИФ) является первым в России и самым мощным в мире источником синхротронного излучения четвертого поколения. Запуск синхротрона, который позволит получать сверхточные данные о структуре вещества, ожидается до середины лета 2026 г. Ранее председатель СО РАН В. Пармон сообщал о планах по вводу объекта в эксплуатацию в этот период. Президент РФ В. Путин в ходе прямой линии 19 декабря заявил, что постарается приехать на церемонию открытия.

Ученые НГУ представили проектное видение отечественного опытного рентгеновского литографа «Орел-7». Установку мирового уровня предлагается создать как элемент инфраструктуры СКИФ. Реализация проекта позволит отечественной промышленности перешагнуть технологический предел в 28 нанометров и продвинуться в создании суверенной технологии производства массовых российских процессоров топ-уровня, отметили в университете.

Предел в 28 нанометров обозначает технологический процесс в производстве полупроводников: чем меньше этот показатель, тем выше производительность чипов и ниже энергопотребление. На базе СКИФ планируется создать специализированную рентгеновскую станцию для работы литографического оборудования нового типа. Повышение разрешающей способности становится возможным при переходе в более коротковолновую область, включая рентгеновский диапазон. Рентгеновская литография позволит формировать сверхминиатюрные структуры с высоким разрешением при сохранении производительности и удешевлении процесса, пояснили в НГУ.

Цифровые двойники промышленного оборудования для ускорения разработки литографа будут создаваться в центре искусственного интеллекта. Участники проекта намерены задействовать научный потенциал институтов СО РАН в области физики полупроводников и математического моделирования. Совместная работа должна привести к созданию оборудования, которое позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров, подчеркнул один из авторов проекта, научный сотрудник Центра искусственного интеллекта НГУ и заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО РАН Д. Щеглов. Он добавил, что это критически важный рубеж для третьего перехода в микроэлектронике.

Опытный образец литографа предполагается создать на базе СКИФ, где можно будет детально изучить физику процессов и отработать технологические параметры. Аналогичное оборудование планируется параллельно разворачивать на синхротроне в Зеленограде для отладки промышленного использования.

Переход к использованию рентгеновского излучения в литографии считается одним из наиболее перспективных направлений для дальнейшей миниатюризации компонентов микросхем. Этот метод позволяет преодолеть ограничения, связанные с длиной волны видимого и ультрафиолетового света, и обеспечить формирование структур с нанометровым разрешением.


Автор: А. Шевченко